QS8F2TCR

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TSMT-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P溝道，PNP

Vds - 漏源擊穿電壓：

12 V

Id - 連續漏極電流：

2.5 A

Rds On - 漏源電阻：

44 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

13 nC

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.5 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

QS8F2

晶體管類型：

1 P-Channel, PNP

品牌：

羅姆半導體

秋季時間：

85 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

35 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

130 ns

典型的開啟延遲時間：

9 ns

Tags

QS8F, QS8