SI3585CDV-T1-GE3

產品屬性

屬性值

製造商：

威世

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TSOP-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N溝道，P溝道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

2.1 A, 3.9 A

Rds On - 漏源電阻：

58 mOhms, 195 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

600 mV

Vgs - 柵源電壓：

4.5 V

Qg - 門電荷：

3.2 nC, 6 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.3 W, 1.4 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

商品名：

溝槽場效應晶體管

打包：

捲軸

高度：

1.1 mm

長度：

3.05 mm

系列：

SI3

晶體管類型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

寬度：

1.65 mm

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨導 - 最小值：

1 S, 12 S

秋季時間：

9 ns, 28 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

16 ns, 37 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

13 ns, 25 ns

典型的開啟延遲時間：

15 ns, 16 ns

第 # 部分別名：

SI3585CDV-GE3

單位重量：

0.000705 oz

Tags

SI3585CDV-T, SI3585C, SI3585, SI358, SI35, SI3