TK12Q60W,S1VQ

產品屬性

屬性值

製造商：

東芝

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-251-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

11.5 A

Rds On - 漏源電阻：

265 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3.7 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

25 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

100 W

配置：

單身的

商品名：

DTMOSIV

高度：

6.1 mm

長度：

6.65 mm

系列：

TK12Q60W

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

2.3 mm

品牌：

東芝

秋季時間：

5.5 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

23 ns

出廠包裝數量：

75

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

85 ns

典型的開啟延遲時間：

45 ns

單位重量：

0.139332 oz

Tags

TK12Q, TK12, TK1