NUD3112LT1

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

N

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-23-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

14 V

Id - 連續漏極電流：

500 mA

Rds On - 漏源電阻：

900 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

6 V

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 85 C

Pd - 功耗：

225 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.94 mm

長度：

2.9 mm

產品：

MOSFET 小信號

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

1.3 mm

品牌：

安森美半導體

秋季時間：

61 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

61 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

單位重量：

0.000282 oz

Tags

NUD3112LT1, NUD3112LT, NUD3112L, NUD311, NUD31, NUD3, NUD