IPDD60R102G7XTMA1

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

PG-HDSOP-10

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

23 A

Rds On - 漏源電阻：

102 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

34 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

139 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

品牌：

英飛凌科技

秋季時間：

4 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

5 ns

出廠包裝數量：

1700

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

60 ns

典型的開啟延遲時間：

18 ns

第 # 部分別名：

IPDD60R102G7 SP001632832

Tags

IPDD60R1, IPDD6, IPDD, IPD