IRFB7530PBF

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-220-3

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

295 A

Rds On - 漏源電阻：

1.65 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3.7 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

274 nC

Pd - 功耗：

375 W

頻道模式：

增強

商品名：

強IRFET

打包：

管子

高度：

15.65 mm

長度：

10 mm

寬度：

4.4 mm

品牌：

英飛凌科技

正向跨導 - 最小值：

242 S

秋季時間：

104 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

141 ns

出廠包裝數量：

1000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

172 ns

典型的開啟延遲時間：

52 ns

第 # 部分別名：

SP001575524

單位重量：

0.211644 oz

Tags

IRFB753, IRFB75, IRFB7, IRFB, IRF