NTB25P06T4G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-263-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

27.5 A

Rds On - 漏源電阻：

65 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

15 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

120 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

4.83 mm

長度：

10.29 mm

系列：

NTB25P06

晶體管類型：

1 P-Channel

類型：

MOSFET

寬度：

9.65 mm

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

13 S

秋季時間：

190 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

72 ns

出廠包裝數量：

800

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

43 ns

典型的開啟延遲時間：

14 ns

單位重量：

0.139332 oz

Tags

NTB25P06T, NTB25, NTB2, NTB