APT100GT60JRDQ4

產品屬性

屬性值

製造商：

微芯片

產品分類：

IGBT 模塊

RoHS：

Y

產品：

IGBT 碳化矽模塊

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

600 V

集電極-發射極飽和電壓：

2.1 V

25 C 時的連續集電極電流：

148 A

柵極-發射極漏電流：

300 nA

Pd - 功耗：

500 W

包裝/案例：

ISOTOP-4

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

打包：

管子

品牌：

微芯片/Microsemi

安裝方式：

貼片/貼片

最大柵極發射極電壓：

30 V

產品類別：

IGBT 模塊

出廠包裝數量：

1

子類別：

IGBT

Tags

APT100GT6, APT100GT, APT100G, APT100, APT10, APT1, APT