VMMK-1218-BLKG

產品屬性

屬性值

製造商：

博通有限公司

產品分類：

射頻 JFET 晶體管

RoHS：

Y

晶體管類型：

EpHEMT

技術：

砷化鎵

獲得：

9 dB

Vds - 漏源擊穿電壓：

5 V

Vgs - 柵源擊穿電壓：

- 5 V to 1 V

Id - 連續漏極電流：

100 mA

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

300 mW

安裝方式：

貼片/貼片

打包：

大部分

配置：

單身的

工作頻率：

10 GHz

產品：

射頻結型場效應管

類型：

GaAs EpHEMT

品牌：

博通/安華高

正向跨導 - 最小值：

200 mS

濕氣敏感：

是的

NF - 噪聲係數：

0.81 dB

P1dB - 壓縮點：

12 dBm

產品類別：

射頻 JFET 晶體管

出廠包裝數量：

100

子類別：

晶體管

單位重量：

0.007690 oz

Tags

VMMK-121, VMMK-1, VMMK, VMM