IXTT12N150

產品屬性

屬性值

製造商：

IXYS

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-268-3

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

1.2 kV

Id - 連續漏極電流：

12 A

Rds On - 漏源電阻：

2 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4.5 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

106 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

890 W

頻道模式：

增強

打包：

管子

高度：

5.1 mm

長度：

14 mm

系列：

IXTT12N150

類型：

高壓功率MOSFET

寬度：

16.05 mm

品牌：

IXYS

正向跨導 - 最小值：

8 S

秋季時間：

14 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

16 ns

出廠包裝數量：

30

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

53 ns

典型的開啟延遲時間：

26 ns

單位重量：

0.229281 oz

Tags

IXTT12N, IXTT12, IXTT1, IXTT, IXT