SSM3J112TU,LF

產品屬性

屬性值

製造商：

東芝

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

UFM-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

1.1 A

Rds On - 漏源電阻：

310 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.8 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

800 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

SSM3J112TU

晶體管類型：

1 P-Channel

品牌：

東芝

正向跨導 - 最小值：

0.5 S

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

8.5 ns

典型的開啟延遲時間：

14 ns

單位重量：

0.000233 oz

Tags

SSM3J112, SSM3J11, SSM3J1, SSM3J, SSM3, SSM