IRFH7911TRPBF

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

PQFN-18

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

13 A, 28 A

Rds On - 漏源電阻：

8.6 mOhms, 3 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2.35 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

8.3 nC, 34 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.4 W, 3.4 W

配置：

雙重的

商品名：

強IRFET

打包：

捲軸

高度：

1 mm

長度：

6 mm

晶體管類型：

2 N-Channel

寬度：

5 mm

品牌：

英飛凌/紅外

正向跨導 - 最小值：

17 S, 106 S

秋季時間：

5.9 ns, 14 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

15 ns, 35 ns

出廠包裝數量：

4000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

12 ns, 28 ns

典型的開啟延遲時間：

12 ns, 22 ns

第 # 部分別名：

SP001577920

Tags

IRFH791, IRFH79, IRFH7, IRFH, IRF