EFC6612R-TF

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

CSP-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Rds On - 漏源電阻：

4.2 mOhms, 4.2 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

500 mV

Vgs - 柵源電壓：

12 V

Qg - 門電荷：

27 nC, 27 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.5 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

EFC6612R

晶體管類型：

2 N-channel

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

4.7 S, 4.7 S

秋季時間：

92 us, 92 us

產品類別：

MOSFET

上升時間：

640 ns, 640 ns

出廠包裝數量：

5000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

11.8 us, 11.8 us

典型的開啟延遲時間：

30 ns, 30 ns

Tags

EFC6612, EFC661, EFC6, EFC