PD85035STR-E

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

射頻 MOSFET 晶體管

RoHS：

Y

晶體管極性：

N通道

技術：

矽

Id - 連續漏極電流：

8 A

Vds - 漏源擊穿電壓：

40 V

獲得：

14.9 dB

輸出功率：

35 W

最低工作溫度：

- 65 C

最高工作溫度：

+ 150 C

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

PowerSO-10RF-Straight-4

打包：

捲軸

配置：

單身的

高度：

3.5 mm

長度：

7.5 mm

工作頻率：

1 GHz

系列：

PD85035-E

類型：

射頻功率MOSFET

寬度：

9.4 mm

品牌：

意法半導體

頻道模式：

增強

濕氣敏感：

是的

Pd - 功耗：

95 W

產品類別：

射頻 MOSFET 晶體管

出廠包裝數量：

600

子類別：

MOSFET

Vgs - 柵源電壓：

15 V

單位重量：

0.105822 oz

Tags

PD85035S, PD8503, PD850, PD85, PD8