SI4564DY-T1-GE3

產品屬性

屬性值

製造商：

威世

產品分類：

MOSFET

RoHS：

E

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SO-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N溝道，P溝道

Vds - 漏源擊穿電壓：

40 V

Id - 連續漏極電流：

10 A, 9.2 A

Rds On - 漏源電阻：

17.5 mOhms, 21 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

800 mV, 1.2 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

20.5 nC, 41.5 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

3.1 W, 3.2 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

商品名：

溝槽場效應晶體管

打包：

捲軸

系列：

SI4

晶體管類型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨導 - 最小值：

27 S, 25 S

秋季時間：

9 ns, 14 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

10 ns, 9 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

18 ns, 50 ns

典型的開啟延遲時間：

7 ns, 9 ns

第 # 部分別名：

SI4542DY-T1-E3-S

單位重量：

0.017870 oz

Tags

SI456, SI45, SI4