NIF9N05CLT3

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

N

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-223-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

52 V

Id - 連續漏極電流：

2.6 A

Rds On - 漏源電阻：

107 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

15 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.69 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

1.57 mm

長度：

6.5 mm

產品：

MOSFET 小信號

晶體管類型：

1 N-Channel

類型：

MOSFET

寬度：

3.5 mm

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

3.8 S

秋季時間：

1418 ns, 1165 ns, 290 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

1418 ns, 1165 ns, 290 ns

出廠包裝數量：

4000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

780 ns, 906 ns, 1540 ns

典型的開啟延遲時間：

275 ns, 242 ns, 107 ns

單位重量：

0.008818 oz

Tags

NIF9N05CLT, NIF9N05C, NIF9, NIF