IXTQ18N60P

產品屬性

屬性值

製造商：

IXYS

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-3P-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

18 A

Rds On - 漏源電阻：

420 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

30 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

360 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

管子

高度：

20.3 mm

長度：

15.8 mm

系列：

IXTQ18N60

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

4.9 mm

品牌：

IXYS

正向跨導 - 最小值：

16 S

秋季時間：

22 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

22 ns

出廠包裝數量：

30

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

62 ns

典型的開啟延遲時間：

21 ns

單位重量：

0.194007 oz

Tags

IXTQ18, IXTQ1, IXTQ, IXT