SI3590DV-T1-GE3

產品屬性

屬性值

製造商：

威世

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TSOP-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N溝道，P溝道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

3 A, 2 A

Rds On - 漏源電阻：

77 mOhms, 170 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

600 mV

Vgs - 柵源電壓：

12 V

Qg - 門電荷：

4.5 nC, 6 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.15 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

商品名：

溝槽場效應晶體管

打包：

捲軸

系列：

SI3

晶體管類型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨導 - 最小值：

10 S, 5 S

秋季時間：

7 ns, 20 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

12 ns, 15 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

13 ns, 20 ns

典型的開啟延遲時間：

5 ns, 5 ns

第 # 部分別名：

SI3590DV-GE3

單位重量：

0.000705 oz

Tags

SI3590DV-T, SI3590D, SI359, SI35, SI3