IRF7807VD1PBF

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SO-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

8.3 A

Rds On - 漏源電阻：

25 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

9.5 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.5 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

管子

高度：

1.75 mm

長度：

4.9 mm

晶體管類型：

1 N-Channel

類型：

FETKY MOSFET 和肖特基二極管

寬度：

3.9 mm

品牌：

英飛凌/紅外

秋季時間：

2.2 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

1.2 ns

出廠包裝數量：

95

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

11 ns

典型的開啟延遲時間：

6.3 ns

第 # 部分別名：

SP001551528

單位重量：

0.019048 oz

Tags

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