IXTA1N200P3HV

產品屬性

屬性值

製造商：

IXYS

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-263-3

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

2 kV

Id - 連續漏極電流：

1 A

Rds On - 漏源電阻：

40 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

23.5 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

125 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

管子

品牌：

IXYS

正向跨導 - 最小值：

400 mS

秋季時間：

80 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

26 ns

出廠包裝數量：

50

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

37 ns

典型的開啟延遲時間：

16 ns

單位重量：

0.052911 oz

Tags

IXTA1N, IXTA1, IXTA, IXT