CSD19532KTTT

產品屬性

屬性值

製造商：

德州儀器

產品分類：

MOSFET

RoHS：

E

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-263-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

100 V

Id - 連續漏極電流：

200 A

Rds On - 漏源電阻：

5.6 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2.6 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

44 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

250 W

配置：

單身的

商品名：

場效應管

打包：

捲軸

高度：

19.7 mm

長度：

9.25 mm

產品：

功率MOSFET

系列：

CSD19532KTT

晶體管類型：

1 N-Channel

類型：

N 溝道 MOSFET

寬度：

10.26 mm

品牌：

德州儀器

秋季時間：

2 ns

濕氣敏感：

是的

產品類別：

MOSFET

上升時間：

3 ns

出廠包裝數量：

50

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

14 ns

典型的開啟延遲時間：

9 ns

單位重量：

0.068643 oz

Tags

CSD19532, CSD1953, CSD19, CSD1, CSD