US6M11TR

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-363T-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N溝道，P溝道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V, 12 V

Id - 連續漏極電流：

1.5 A, 1.3 A

Rds On - 漏源電阻：

180 mOhms, 260 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

1.8 nC, 2.4 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1 W

配置：

雙重的

打包：

捲軸

系列：

US6M11

晶體管類型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

羅姆半導體

秋季時間：

3 ns, 9 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

5 ns, 10 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

20 ns, 30 ns

典型的開啟延遲時間：

5 ns, 8 ns

第 # 部分別名：

US6M11

單位重量：

0.000265 oz

Tags

US6M11T, US6M11, US6M1, US6M, US6