NTGD4169FT1G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TSOP-6

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

2.6 A

Rds On - 漏源電阻：

90 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

12 V

最低工作溫度：

- 25 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

900 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.94 mm

長度：

3 mm

產品：

MOSFET 小信號

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

1.5 mm

品牌：

安森美半導體

秋季時間：

4 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

4 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

14 ns

典型的開啟延遲時間：

7 ns

單位重量：

0.000705 oz

Tags

NTGD4, NTGD, NTG