RQ1C075UNTR

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TSMT-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

7.5 A

Rds On - 漏源電阻：

40 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

300 mV

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

18 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.5 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.85 mm

長度：

3 mm

產品：

MOSFET

晶體管類型：

1 N-channel

類型：

功率MOSFET

寬度：

2.4 mm

品牌：

羅姆半導體

正向跨導 - 最小值：

7 S

秋季時間：

85 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

50 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

100 ns

典型的開啟延遲時間：

15 ns

第 # 部分別名：

RQ1C075UN

Tags

RQ1C075UNT, RQ1C07, RQ1C0, RQ1C, RQ1