RDN100N20

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-220-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

200 V

Id - 連續漏極電流：

10 A

Rds On - 漏源電阻：

360 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

30 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

35 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

大部分

高度：

8 mm

長度：

10 mm

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

4.5 mm

品牌：

羅姆半導體

秋季時間：

26 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

29 ns

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

38 ns

典型的開啟延遲時間：

13 ns

第 # 部分別名：

RDN100N20FU6

單位重量：

0.211644 oz

Tags

RDN100N, RDN10, RDN1, RDN