BD435S

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

雙極晶體管 - BJT

RoHS：

Y

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-126-3

晶體管極性：

NPN

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

32 V

集電極-基極電壓 VCBO：

32 V

發射極基極電壓 VEBO：

5 V

集電極-發射極飽和電壓：

0.2 V

最大直流集電極電流：

4 A

增益帶寬積 fT：

3 MHz

最低工作溫度：

- 65 C

最高工作溫度：

+ 150 C

系列：

BD435

高度：

11 mm

長度：

8 mm

打包：

大部分

寬度：

3.25 mm

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

連續集電極電流：

4 A

DC 集電極/基極增益 hfe 最小值：

40

Pd - 功耗：

36 W

產品類別：

BJT - 雙極晶體管

出廠包裝數量：

2000

子類別：

晶體管

第 # 部分別名：

BD435S_NL

單位重量：

0.026843 oz

Tags

BD435, BD43, BD4