AFT18P350-4S2LR6

產品屬性

屬性值

製造商：

恩智浦

產品分類：

射頻 MOSFET 晶體管

RoHS：

Y

晶體管極性：

N通道

技術：

矽

Id - 連續漏極電流：

1 A

Vds - 漏源擊穿電壓：

65 V

獲得：

16.1 dB

輸出功率：

63 W

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 150 C

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

NI-1230-4

打包：

捲軸

配置：

單身的

工作頻率：

1805 MHz to 1880 MHz

系列：

AFT18P350_4S2L

類型：

射頻功率MOSFET

品牌：

恩智浦/飛思卡爾

產品類別：

射頻 MOSFET 晶體管

出廠包裝數量：

150

子類別：

MOSFET

Vgs - 柵源電壓：

1.2 V

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.9 V

第 # 部分別名：

935317727128

單位重量：

0.300472 oz

Tags

AFT18, AFT1, AFT