BLF8G20LS-400PVQ

產品屬性

屬性值

製造商：

恩智浦

產品分類：

射頻 MOSFET 晶體管

RoHS：

Y

技術：

矽

Vds - 漏源擊穿電壓：

65 V

Rds On - 漏源電阻：

55 mOhms

獲得：

19 dB

最高工作溫度：

+ 225 C

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-1242B

打包：

大部分

配置：

單身的

工作頻率：

1805 MHz to 1995 MHz

類型：

射頻功率MOSFET

品牌：

恩智浦半導體

正向跨導 - 最小值：

20.6 S

產品類別：

射頻 MOSFET 晶體管

出廠包裝數量：

60

子類別：

MOSFET

Vgs - 柵源電壓：

13 V

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.9 V

Tags

BLF8G20LS-40, BLF8G20LS-4, BLF8G20LS, BLF8G20, BLF8G2, BLF8G, BLF8, BLF