IPP50R190CE

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

PG-TO-220-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

500 V

Id - 連續漏極電流：

24.8 A

Rds On - 漏源電阻：

190 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2.5 V

Vgs - 柵源電壓：

13 V

Qg - 門電荷：

47.2 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

152 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

酷摩

打包：

管子

高度：

15.65 mm

長度：

10 mm

系列：

CoolMOS CE

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

4.4 mm

品牌：

英飛凌科技

秋季時間：

7.5 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

8.5 ns

出廠包裝數量：

500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

54 ns

典型的開啟延遲時間：

9.5 ns

第 # 部分別名：

IPP50R190CEXKSA1 SP000850802

單位重量：

0.211644 oz

Tags

IPP50R190, IPP50R19, IPP50R1, IPP50R, IPP50, IPP5, IPP