IXTJ4N150

產品屬性

屬性值

製造商：

IXYS

產品分類：

MOSFET

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-247-3

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

1.5 kV

Id - 連續漏極電流：

2.5 A

Rds On - 漏源電阻：

6 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

5 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

44.5 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

110 W

頻道模式：

增強

打包：

管子

高度：

21.34 mm

長度：

6.13 mm

系列：

IXTJ4N150

類型：

高壓功率MOSFET

寬度：

5.21 mm

品牌：

IXYS

正向跨導 - 最小值：

2.8 S

秋季時間：

22 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

23 ns

出廠包裝數量：

30

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

42 ns

典型的開啟延遲時間：

19 ns

單位重量：

0.056438 oz

Tags

IXTJ, IXT