2N6432

產品屬性

屬性值

製造商：

中央半導體

產品分類：

雙極晶體管 - BJT

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-18

晶體管極性：

PNP

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

200 V

集電極-基極電壓 VCBO：

200 V

發射極基極電壓 VEBO：

5 V

集電極-發射極飽和電壓：

0.5 V

增益帶寬積 fT：

50 MHz

最低工作溫度：

- 65 C

最高工作溫度：

+ 200 C

打包：

大部分

品牌：

中央半導體

連續集電極電流：

100 mA

DC 集電極/基極增益 hfe 最小值：

25 at 1 mA, 10 V

Pd - 功耗：

500 mW

產品類別：

BJT - 雙極晶體管

出廠包裝數量：

2000

子類別：

晶體管

第 # 部分別名：

2N6432 PBFREE

Tags

2N643, 2N64, 2N6