NJVMJD42CT4G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

雙極晶體管 - BJT

RoHS：

Y

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DPAK-3

晶體管極性：

PNP

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

100 V

集電極-基極電壓 VCBO：

100 V

發射極基極電壓 VEBO：

5 V

最大直流集電極電流：

6 A

增益帶寬積 fT：

3 MHz

最低工作溫度：

- 65 C

最高工作溫度：

+ 150 C

系列：

MJD42C

直流電流增益 hFE 最大值：

30 at 300 mA, 4 V

高度：

2.38 mm

長度：

6.73 mm

打包：

捲軸

寬度：

6.22 mm

品牌：

安森美半導體

DC 集電極/基極增益 hfe 最小值：

30

Pd - 功耗：

1750 mW

產品類別：

BJT - 雙極晶體管

資質：

AEC-Q101

出廠包裝數量：

2500

子類別：

晶體管

第 # 部分別名：

NJVMJD42CT4G-VF01

單位重量：

0.012346 oz

Tags

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