IMX9T110

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

雙極晶體管 - BJT

RoHS：

Y

安裝方式：

貼片/貼片

晶體管極性：

NPN

配置：

雙重的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

20 V

集電極-基極電壓 VCBO：

25 V

發射極基極電壓 VEBO：

12 V

集電極-發射極飽和電壓：

0.18 V

最大直流集電極電流：

0.5 A

增益帶寬積 fT：

350 MHz

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

系列：

IMX9

直流電流增益 hFE 最大值：

2700

高度：

1.1 mm

長度：

2.9 mm

打包：

捲軸

寬度：

1.6 mm

品牌：

羅姆半導體

連續集電極電流：

500 mA

DC 集電極/基極增益 hfe 最小值：

560

Pd - 功耗：

300 mW

產品類別：

BJT - 雙極晶體管

出廠包裝數量：

3000

子類別：

晶體管

第 # 部分別名：

IMX9

Tags

IMX9T11, IMX9T, IMX9, IMX