IRF6612TR1PBF

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DirectFET-MX

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

24 A

Rds On - 漏源電阻：

4.4 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

30 nC

Pd - 功耗：

89 W

配置：

單身的

打包：

捲軸

高度：

0.7 mm

長度：

6.35 mm

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

5.05 mm

品牌：

英飛凌/紅外

濕氣敏感：

是的

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

1000

子類別：

MOSFET

第 # 部分別名：

SP001530082

Tags

IRF6612T, IRF6612, IRF661, IRF66, IRF6, IRF