STP19NM65N

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

MOSFET

運輸限制：

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-220-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

650 V

Id - 連續漏極電流：

15.5 A

Rds On - 漏源電阻：

270 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

25 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

管子

高度：

9.15 mm

長度：

10.4 mm

系列：

STF19NM65N

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

4.6 mm

品牌：

意法半導體

秋季時間：

26 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

8 ns

出廠包裝數量：

50

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

80 ns

典型的開啟延遲時間：

25 ns

單位重量：

0.011640 oz

Tags

STP19NM, STP19N, STP19, STP1, STP