IRLD120PBF

產品屬性

屬性值

製造商：

威世

產品分類：

MOSFET

RoHS：

E

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

HVMDIP-4

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

100 V

Id - 連續漏極電流：

1.3 A

Rds On - 漏源電阻：

270 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

5 V

Qg - 門電荷：

12 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

1.3 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

管子

高度：

3.37 mm

長度：

6.29 mm

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

5 mm

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨導 - 最小值：

1.9 S

秋季時間：

27 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

64 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

21 ns

典型的開啟延遲時間：

9.8 ns

Tags

IRLD1, IRLD, IRL