ECH8660-TL-H

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

ECH-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N溝道，P溝道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

4.5 A

Rds On - 漏源電阻：

110 mOhms, 82 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

4.4 nC, 10 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.3 W

配置：

雙重的

打包：

捲軸

系列：

ECH8660

晶體管類型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

安森美半導體

秋季時間：

7.5 ns, 35 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

11 ns, 26 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

17 ns, 45 ns

典型的開啟延遲時間：

6.2 ns, 7.5 ns

單位重量：

0.000628 oz

Tags

ECH8660, ECH866, ECH86, ECH8, ECH