SI8900EDB-T2-E1

SI8900EDB-T2-E1
Mfr. #:
SI8900EDB-T2-E1
製造商:
Vishay
描述:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional
生命週期:
製造商新產品
數據表:
SI8900EDB-T2-E1 數據表
交貨:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支付:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
產品屬性
屬性值
製造商
威世矽
產品分類
FET - 陣列
系列
溝槽FETR
打包
Digi-ReelR 替代包裝
安裝方式
貼片/貼片
包裝盒
10-UFBGA, CSPBGA
技術
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝型
表面貼裝
通道數
2 Channel
供應商-設備-包
10-Micro Foot CSP (2x5)
配置
雙重的
FET型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
最大功率
1W
晶體管型
2 N-Channel
漏源電壓 Vdss
20V
輸入電容-Ciss-Vds
-
FET-Feature
邏輯電平門
Current-Continuous-Drain-Id-25°C
5.4A
Rds-On-Max-Id-Vgs
-
Vgs-th-Max-Id
1V @ 1.1mA
柵極電荷-Qg-Vgs
-
鈀功耗
1 W
最高工作溫度
+ 150 C
最低工作溫度
- 55 C
秋季時間
4500 ns
上升時間
4500 ns
VGS-柵極-源極-電壓
12 V
Id 連續漏極電流
5.4 A
Vds-漏-源-擊穿電壓
20 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
24 mOhms
晶體管極性
N通道
典型關斷延遲時間
55000 ns
典型開啟延遲時間
3000 ns
通道模式
增強
Tags
SI8900E, SI8900, SI890, SI89, SI8
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ark
N CHANNEL MOSFET, 20V, 7A, MICRO FOOT
***i-Key
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
型號 製造商 描述 庫存 價格
SI8900EDB-T2-E1
DISTI # SI8900EDB-T2-E1TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 3000:$1.6093
SI8900EDB-T2-E1
DISTI # 781-SI8900EDB-E1
Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$1.4700
圖片 型號 描述
SI8900EDB-T2-E1

Mfr.#: SI8900EDB-T2-E1

OMO.#: OMO-SI8900EDB-T2-E1

MOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional
SI8900EDB-T2-E1

Mfr.#: SI8900EDB-T2-E1

OMO.#: OMO-SI8900EDB-T2-E1-VISHAY

RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional
SI8900EDB

Mfr.#: SI8900EDB

OMO.#: OMO-SI8900EDB-1190

全新原裝
SI8900EDB-T2-E1CT

Mfr.#: SI8900EDB-T2-E1CT

OMO.#: OMO-SI8900EDB-T2-E1CT-1190

全新原裝
可用性
庫存:
Available
訂購:
5500
輸入數量:
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參考價格(美元)
數量
單價
小計金額
1
US$2.20
US$2.20
10
US$2.09
US$20.95
100
US$1.98
US$198.45
500
US$1.87
US$937.15
1000
US$1.76
US$1 764.00
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