RU1C002ZPTCL

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-323FL-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

200 mA

Rds On - 漏源電阻：

1.2 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

300 mV

Vgs - 柵源電壓：

4.5 V

Qg - 門電荷：

1.4 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.9 mm

長度：

2 mm

產品：

MOSFET

系列：

RU1C002ZP

晶體管類型：

1 P-Channel MOSFET

類型：

功率MOSFET

寬度：

1.25 mm

品牌：

羅姆半導體

秋季時間：

17 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

4 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

17 ns

典型的開啟延遲時間：

6 ns

第 # 部分別名：

RU1C002ZP

單位重量：

0.004395 oz

Tags

RU1C002ZPT, RU1C002Z, RU1C002, RU1C0, RU1C, RU1