DMN61D8LVTQ-7

產品屬性

屬性值

製造商：

二極管公司

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TSOT-26-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

630 mA

Rds On - 漏源電阻：

1.1 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.3 V

Vgs - 柵源電壓：

12 V

Qg - 門電荷：

740 pC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.09 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

打包：

捲軸

系列：

DMN61

晶體管類型：

2 N-Channel

品牌：

二極管公司

正向跨導 - 最小值：

80 mS

秋季時間：

440 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

301 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

582 ns

典型的開啟延遲時間：

131 ns

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