SIHW30N60E-GE3

產品屬性

屬性值

製造商：

威世

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-263-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

29 A

Rds On - 漏源電阻：

125 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2.8 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

85 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

250 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

大部分

高度：

20.82 mm

長度：

15.87 mm

系列：

E

寬度：

5.31 mm

品牌：

威世 / Siliconix

秋季時間：

36 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

32 ns

出廠包裝數量：

480

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

63 ns

典型的開啟延遲時間：

19 ns

單位重量：

1.340411 oz

Tags

SIHW3, SIHW, SIH