IPL60R650P6SATMA1

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

ThinPAK-56-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

6.7 A

Rds On - 漏源電阻：

650 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

12 nC

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

56.8 W

配置：

單身的

商品名：

酷摩

打包：

捲軸

高度：

1.1 mm

長度：

6 mm

系列：

CoolMOS P6

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

5 mm

品牌：

英飛凌科技

秋季時間：

14 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

7 ns

出廠包裝數量：

5000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

33 ns

典型的開啟延遲時間：

11 ns

第 # 部分別名：

IPL60R650P6S SP001163080

單位重量：

0.002677 oz

Tags

IPL60, IPL6, IPL