NTD4858N-35G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

IPAK-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

25 V

Id - 連續漏極電流：

73 A

Rds On - 漏源電阻：

6.2 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.45 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

25.7 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

54.5 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

管子

高度：

6.22 mm

長度：

6.73 mm

系列：

NTD4858N

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

2.38 mm

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

55 S

秋季時間：

2.8 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

17.3 ns

出廠包裝數量：

75

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

23.8 ns

典型的開啟延遲時間：

7.7 ns

單位重量：

0.139332 oz

Tags

NTD4858, NTD485, NTD48, NTD4, NTD