FDMT80040DC

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DualCool-88-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

40 V

Id - 連續漏極電流：

420 A

Rds On - 漏源電阻：

440 uOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2.7 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

241 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

156 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.8 mm

長度：

3.3 mm

系列：

FDMT80040DC

晶體管類型：

N溝道

寬度：

3.3 mm

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

秋季時間：

43 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

62 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

101 ns

典型的開啟延遲時間：

63 ns

單位重量：

0.008766 oz

Tags

FDMT8, FDMT, FDM