NTJD5121NT2G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-363-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

295 mA

Rds On - 漏源電阻：

1.6 Ohms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

900 pC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

250 mW

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

NTJD5121N

晶體管類型：

2 N-Channel

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

80 S

秋季時間：

32 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

34 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

34 ns

典型的開啟延遲時間：

22 ns

單位重量：

0.000265 oz

Tags

NTJD5121NT, NTJD5121N, NTJD5, NTJD, NTJ