CSD88539NDT

產品屬性

屬性值

製造商：

德州儀器

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOIC-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

11.7 A

Rds On - 漏源電阻：

28 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2.6 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

7.2 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.1 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

商品名：

場效應管

打包：

捲軸

高度：

1.75 mm

長度：

4.9 mm

系列：

CSD88539ND

晶體管類型：

2 N-Channel

寬度：

3.9 mm

品牌：

德州儀器

秋季時間：

4 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

9 ns

出廠包裝數量：

250

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

14 ns

典型的開啟延遲時間：

5 ns

單位重量：

0.019048 oz

Tags

CSD8853, CSD885, CSD88, CSD8, CSD