TK6Q60W,S1VQ

產品屬性

屬性值

製造商：

東芝

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-251-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

6.2 A

Rds On - 漏源電阻：

680 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3.7 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

12 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

60 W

配置：

單身的

商品名：

DTMOSIV

高度：

6.1 mm

長度：

6.65 mm

系列：

TK6Q60W

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

2.3 mm

品牌：

東芝

秋季時間：

7 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

18 ns

出廠包裝數量：

75

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

55 ns

典型的開啟延遲時間：

40 ns

單位重量：

0.139332 oz

Tags

TK6Q60W, TK6Q60, TK6Q, TK6