GB100XCP12-227

產品屬性

屬性值

製造商：

GeneSiC半導體

產品分類：

IGBT 模塊

RoHS：

Y

技術：

碳化矽

產品：

IGBT 碳化矽模塊

配置：

IGBT-逆變器

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

1200 V

集電極-發射極飽和電壓：

1.9 V

柵極-發射極漏電流：

400 nA

包裝/案例：

SOT-227

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 175 C

打包：

大部分

系列：

GB100XCP12

品牌：

GeneSiC半導體

安裝方式：

貼片/貼片

最大柵極發射極電壓：

20 V

產品類別：

IGBT 模塊

出廠包裝數量：

10

子類別：

IGBT

單位重量：

1.058219 oz

Tags

GB100, GB10, GB1