TK9P65W,RQ

產品屬性

屬性值

製造商：

東芝

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-252-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

650 V

Id - 連續漏極電流：

9.3 A

Rds On - 漏源電阻：

460 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2.5 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

20 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

80 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

2.3 mm

長度：

6.5 mm

系列：

TK9P65W

寬度：

5.5 mm

品牌：

東芝

秋季時間：

5 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

16 ns

出廠包裝數量：

2000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

70 ns

典型的開啟延遲時間：

40 ns

單位重量：

0.139332 oz

Tags

TK9P, TK9