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F3L11MR12W2M1B65BOMA1

F3L11MR12W2M1B65BOMA1
Mfr. #:
F3L11MR12W2M1B65BOMA1
製造商:
Infineon Technologies
描述:
IGBT Modules Easy 2B CoolSiC(TM) MOSFET
生命週期:
製造商新產品
數據表:
F3L11MR12W2M1B65BOMA1 數據表
交貨:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支付:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
更多信息:
F3L11MR12W2M1B65BOMA1 更多信息
產品屬性
屬性值
製造商：
英飛凌
產品分類：
IGBT 模塊
RoHS：
Y
技術：
碳化矽
產品：
IGBT 碳化矽模塊
配置：
雙重的
集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：
1.2 kV
集電極-發射極飽和電壓：
1.75 V
25 C 時的連續集電極電流：
50 A
柵極-發射極漏電流：
100 nA
Pd - 功耗：
20 mW
包裝/案例：
模塊
最低工作溫度：
- 40 C
最高工作溫度：
+ 150 C
打包：
托盤
品牌：
英飛凌科技
安裝方式：
螺絲安裝
最大柵極發射極電壓：
20 V
產品類別：
IGBT 模塊
出廠包裝數量：
15
子類別：
IGBT
商品名：
Easy 2B CoolSiC
第 # 部分別名：
F3L11MR12W2M1_B65 SP001684176
Tags
F3L1, F3L
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
1200V CoolSiC™ Modules
Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Modules are Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules that offer good levels of efficiency and system flexibility. These modules come with Near Threshold Circuits (NTC) and PressFIT contact technology. The CoolSiC modules feature high current density, best in class switching and conduction losses, and low inductive design. These modules provide high-frequency operation, increased power density, and optimized development cycle time and cost.
圖片 型號 描述
F3L11MR12W2M1B65BOMA1

Mfr.#: F3L11MR12W2M1B65BOMA1

OMO.#: OMO-F3L11MR12W2M1B65BOMA1

 IGBT Modules Easy 2B CoolSiC(TM) MOSFET
可用性
庫存:
Available
訂購:
1988
輸入數量:
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參考價格（美元）
數量
單價
小計金額
1
US$204.30
US$204.30
5
US$199.39
US$996.95
10
US$194.43
US$1 944.30
25
US$191.71
US$4 792.75
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